通信・実装関連

●導電性Ni-P微粒子

【特長】

当社は粒径1〜20μmの均一な粒径分布を持つ、真球状の導電性Ni-P粒子製造技術を保有しております。その製造方法には、当社グループと一般社団法人秋田県資源技術開発機構が共同で開発した、湿式還元法を採用しました。

【製品写真】

【用途】

• ・ディスプレイ／半導体パッケージ接合、スペーサー部材

【技術】

• ・造球
• ・Au、Cu、Ag、はんだなどの低抵抗めっき

【使用例】

【テクニカルレポート】

スマートフォンやタブレット型PCをはじめとする電子機器は急速な需要の伸びを示しており、今後も新興国を中心に需要拡大が見込まれています。

電子機器は、高精細、多機能化、薄型化の一途を辿っており、実装技術はさらなる進化をし続け、高性能、高密度化が進んでいます。

そうしたなか、基板とICチップ間の精密なギャップ制御による接続や基板間の異方導電性接続への需要が高まっています。

当社グループ会社は秋田県資源技術開発機構と共同で、湿式還元法による球状の金属微粒子の製造方法を開発しました。

図1に示すように、平滑な表面の真球状であり、個々の粒子サイズが均一で、分散性に優れていることが確認できます。その粒子サイズにバラツキが少ないことは、レーザー回折・散乱法による粒度分布の測定結果からも明らかです（図2）。

また、導電性粒子には過酷な環境下においても、常に安定した導電特性が要求されます。これに対し、従来困難とされてきた、比表面積の極めて大きい微粒子へのAuめっき技術を確立。Auめっきの成膜状態について断面像により観察すると、図3に示すように、粒子表面へ均一なAuめっき層が得られていことが確認できます。そして、粒子の状態変化を評価するため、加速試験（125℃／95RH%，0.2MPa，RHは相対湿度）を行なった結果、Au膜厚15nmあるいは30nmという極薄い被膜の粒子においても、初期の体積抵抗率に対し、約2倍程度の上昇に抑えられていることが確認されています（図4）。

現在、1〜20μmサイズの微粒子について、異方導電用途を中心にサンプルをご提供していますので、お問い合わせください。